ویژه محصولات
اینفین فسفید ویفر

فسفید ویفر Indium Phosphide Wafer Prime درجه 4 اینف ویفر

Iron Doped Indium Phosphide Wafer Prime Grade 4 Inch Wafer
اینفین فسفید ویفر

فسفید ویفر Indium Phosphide Wafer Prime درجه 4 اینف ویفر

بیش
گالیم نیترید ویفر

استفاده از دستگاه های دارای فرکانس بالا از 2 اینچ GaN گالیم گالیم نیترید

2 Inch GaN Gallium Nitride Substrates Freestanding High Frequency Devices Use
گالیم نیترید ویفر

استفاده از دستگاه های دارای فرکانس بالا از 2 اینچ GaN گالیم گالیم نیترید

بیش
سیلیکون کاربید ویفر

نیمه عایق SiC Silicon Carbide Substrate 6H Dummy Grade 10mmx10mm

Semi Insulating SiC Silicon Carbide Substrate 6H Dummy Grade 10mmx10mm
سیلیکون کاربید ویفر

نیمه عایق SiC Silicon Carbide Substrate 6H Dummy Grade 10mmx10mm

بیش

اینفین فسفید ویفر & گالیم نیترید ویفر

تنها بستر کریستالی GaN بستر N نوع رسانایی الکتریکی ایستاده رایگان

تنها بستر کریستالی GaN بستر N نوع رسانایی الکتریکی ایستاده رایگان

4 اینچ Silicon Wafer Semi عایق بندی سطح تحقیقاتی بستر سیلیکون

4 اینچ Silicon Wafer Semi عایق بندی سطح تحقیقاتی بستر سیلیکون

6 اینچ گالیم آرسنید بستر مکانیکی درجه مقاومت بالا نوع N

6 اینچ گالیم آرسنید بستر مکانیکی درجه مقاومت بالا نوع N

درجه 4 اینچ InAs Wafer Prime Grade P نوع روی نوع مکانیکی Dopant روی

درجه 4 اینچ InAs Wafer Prime Grade P نوع روی نوع مکانیکی Dopant روی

Prime Grade InSb Wafer 3 Inch Undoped for Infrared Nstronomy N Type

Prime Grade InSb Wafer 3 Inch Undoped for Infrared Nstronomy N Type

نیمه ضعف GaSb Gallium Antimonide Wafer 2 Inch Grade Test درجه 500 ± 25um ضخامت

نیمه ضعف GaSb Gallium Antimonide Wafer 2 Inch Grade Test درجه 500 ± 25um ضخامت

3 اینچ بستر جنرال الکتریک توسط CZ بدون کریستال جادوگر Powerway Wafer Single Crystal

3 اینچ بستر جنرال الکتریک توسط CZ بدون کریستال جادوگر Powerway Wafer Single Crystal

نیمه هادی سیلیکون ویفر FZ N Type 3 اینچ رشد بلوری کریستال Epitaxy

نیمه هادی سیلیکون ویفر FZ N Type 3 اینچ رشد بلوری کریستال Epitaxy

ویفر شیشه ای Borosilikat Lid با ضخامت فوق العاده نازک برای فیبر نوری AWG

ویفر شیشه ای Borosilikat Lid با ضخامت فوق العاده نازک برای فیبر نوری AWG

نیمه هادی CdZnTe ویفر برای دیودها ترانزیستور اجزای اپتیکی

نیمه هادی CdZnTe ویفر برای دیودها ترانزیستور اجزای اپتیکی

استفاده از فیبر نوری کریستال InP 3 اینچ ویفر درجه یک نیمه عایق SI Type SI

استفاده از فیبر نوری کریستال InP 3 اینچ ویفر درجه یک نیمه عایق SI Type SI

Si Type GaN Substrate Freestanding For Iii Nitride LDs تقاضای پر سرعت

Si Type GaN Substrate Freestanding For Iii Nitride LDs تقاضای پر سرعت

ما که هستیم
معرفی

شرکت مواد پیشرفته Xiamen Powerway ، Limited (PAM-XIAMEN) یک شرکت فناوری پیشرفته برای مواد نیمه هادی مرکب است که ادغام کریستال نیمه هادی نیمه هادی ، توسعه فرآیند و اپی تتیک را به عهده دارد ، و متخصص در ...

QC مشخصات QC

از شمش ، بستر گرفته تا اپیلاستیک ، هر فرآیند تحت نظارت قرار می گیرد. عملیات اندازه گیری (برای ویفرهای اپی) شامل اندازه گیری ویفر بازرسی و اندازه گیری ویفر تولید می باشد. برای ویفر بازرسی ، ما به طور ع...

تماس با ما

نشانی : # 506B، مرکز تجاری Henghui، No.77، Lingxia Nan Road، Zoneen High Technology، Huli، Xiamen 361006، China

FAX : 86-592-5563272

پست الکترونیک : info@qualitymaterial.net

بیشتر ببینید >>

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.